芯片工艺无止境？科学家认为1nm芯片，或采用CFET技术

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众所周知，目前芯片制造最强的厂商是台积电，工艺为5nm，苹果已经首发了这款芯片，逻辑密度较7nm芯片，提升了80%。而三星紧随其后，预计也在今年将发布5nm的芯片。

而5nm的芯片，采用的晶体管技术还是FinFET（FF），这种技术在16nm--14nm就导入了，已经使用了4代了。

而在5nm之后，预计节点是3nm，所以业内重新提出了一种新技术，那就是（Horizontal Nanosheets ：HNS），三星表示在3nm工艺时，将采用HNS技术。

不过台积电却表示，在3nm时，依然采用FF技术，不会使用HNS技术。至于英特尔则表示在5nm时，就会使用HNS技术。

那么3nm之后，又会是什么技术呢？芯片制造工艺会不会就止终止，再无法进步了，毕竟随着工艺越来越小，似乎都快要达到芯片制造工艺术的物理极限了。

不过近日，有科学家发表了新的论文，表示在3nm之后，比如进入到1nm，晶体管或采用CFET技术，用来替代HNS技术，从而更好的进入1nm工艺。

甚至更清楚点的来讲，业内甚至达成了一定的共识，那就是3nm-2纳米HNS技术，而1纳米肯定要采用CFET技术。

当然，对于目前的国内的芯片制造而言，1nm工艺离我们还太远，14nm才刚量产，之后还有10nm、7nm、5nm、3nm等等，或许10多年甚至更久时间，才会达到1nm。

但站得高，看得远，对科技的提前布局，才能够准确的看准方向，同时在这些技术中，或许也蕴含着弯道超车的可能，你觉得呢？

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