拼了！花500亿研究存储芯片力争年底研发成功
7月16日，合肥长鑫发布首个中国自主研发的8Gb LPDDR4 DRAM芯片，并计划将于2018年年底推出工程样品，这是国产DRAM产业的一个里程碑。
同时，从关键事件节点来看，兆易创新原董事长朱一明，宣布辞去兆易创新CEO，从原王宁国手上正式接任合肥长鑫存储及睿力CEO。
此人事变动似乎也宣告，合肥长鑫存储及睿力从王宁国核心团队为主导的建厂草创期，进入以设计研发量产为主导，迈入下一个阶段。
从现有的国内存储器芯片生产企业来看，DRAM基地主要是合肥长鑫，合肥长鑫现在的合作方是兆易创新，2017年10月份兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，目标是研发19纳米（nm）工艺的DRAM内存。
预计在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于10%。这一时间节点值得重点关注，研究君也会保持跟踪。
合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆，有媒体报道这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。
根据计划，合肥长鑫将于2018年年底推出8Gb LPDDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17纳米技术的研发。
存储设备分为磁盘和存储芯片（Memory）。磁盘，是指利用磁能方式存储信息，存储过程中需要磁性盘片的机械运动，日常生活中非常常见的电脑硬盘、移动硬盘就属于此类；存储芯片（Memory）则是以半导体为材料的存储介质，我们平日常用的U 盘、PC内存、SSD(固态硬盘)等是Memory 的范围。
在分类上，以断电后存储数据是否丢失为标准，存储芯片（Memory）可分2类：一类是非易失性存储器（Non-Volatile Memory），这一类Memory 断电后数据能够存储，主要以NAND Flash 为代表，常见于U 盘和SSD（固态硬盘)；另一类是易失性存储器（VolatileMemory），这一类Memory 断电后数据不能储存，主要以DRAM 为代表， 常用于电脑、手机内存。
DRAM因为其应用的广泛性和重要性，是电子产品必不可少的一种重要半导体元件。也是原器件领域的一个重要组成部分。根据IHS Markit的数据，2017年全球动态随机存取存储器(DRAM)的市场规模为722亿美元，较2016年的415亿美元增长了74%。
更重要的一点的是，从2016年开始，DRAM的价格多次提高，2017年的价格涨幅更是高达40%。让一些终端厂商，尤其是国内的厂商叫苦不堪。
DRAM全球高端垄断、国产DRAM是空白！在2017年的DRAM市场，三星电子以44.5%的市场份额稳居市场第一，SK海力士则以27.9%的市场份额紧追其后。美光科技（22.9%）、南亚科技（2.2%）、华邦电子（0.8%）分列其后。这几家几乎囊括了全球所有的DRAM供应。
市场规模较小的NOR Flash，格局稍显分散，美光（占比25%）、Cypress（收购了飞梭半导体）、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家占据了90%以上份额。其中，兆易创新(603986)目前国内稀缺，全球市占率在10%左右。
存储器芯片具有广阔的应用场景和重要的战略地位。随着各种应用程序的越来越复杂，各种新兴场景的不断落地应用，例如：人工智能、物联网、大数据、5G等，需要存储的数据也越来越庞大。
目前，信息数据已经不仅仅是数字，而是一种资产。DRAM需求在未来几年会迅速增长。国内作为主要的制造大国，对其需求有增无减。多方面的因素综合，迫使中国去打造自主可控的DRAM企业。
国内存储芯片（Memory）的战略计划，第一步是自建大规模的NAND Flash产能，尤其是发力新型3D NAND闪存技术，第二步逐渐进军技术难度相对较大、垄断更为严重的DRAM市场。这次投片的合肥长鑫将扮演国产DRAM的重要角色！
存储芯片（Memory ）的上下游，其实就是整个大IC（集成电路）的产业链条：设计、制造、封测。因此，对应的也有两种生产模式：IDM模式、fabless模式。
DRAM巨头海力士、美光等是IDM模式，设计和制造全自家包办，兆易创新是fabless模式。A股涉及存储芯片的公司包括：兆易创新、太极实业、北方华创、长川科技等。
应用领域：主要是PC、手机、服务器的内存，分别占比30%、35%、15%。物联网领域的DRAM的应用也在渗透，占15%左右。
量价特征：目前主要是供给和需求决定DRAM的价格走势，而非技术升级。DRAM技术更新不明显，DDR3作为主流技术已经存续超过5年，技术提升带来的成本下降，没有NAND Flash那么明显。
市场空间与技术趋势：1）2015年全球市场约410亿美元；2）Trend Force预计2015年中国市场消耗DRAM高达120亿美元，占全球比重23.2%，预计导2018年，中国DRAM市场容量将达到210美元规模，占全球比重达到29%；
3）存储芯片（尤其是DRAM）持续紧缺，随着PC操作系统由32位转向64位，对于内存的需求大大增加，往往要从4GB升级至8GB乃至16GB，此外手机需求也是最大利好。
竞争格局：1）3家垄断：三星、SK海力士、美光，合计占据全球95%以上份额，三家市占率约4：3：2。
巨头技术水平：三星已经大规模采用20nm制程，毛利率也达到40%；SK海力士采用25nm制程，毛利率也达到了40%；美光制程水平较靠后，以30nm为主，毛利率为25%左右。
1）太极实业：A股最纯正的Memory封测标的，2009年与DRAM巨头海力士合资成立海太半导体，专门承接DRAM芯片封测。
2）深科技：2015年收购金士顿（KINSTON）核心封测厂商沛顿科技100%股权；2016年4月导入DDR4项目，截至今年6月底，出货量已经突破150万条。
3）晶方科技：2015年2月收购智端达科技，后者是原DRAM巨头奇梦达科技位于苏州工业园的封装测试和模组工厂。
4）紫光国芯：2015年8月收购西安华芯51%股权，该公司申请DRAM专利为国内之最，但目前无实质产能。
量价特征：除供需外，3D NAND技术采用更为先进制程和架构设计，单位材料可以存储更多信息，也可有效减少成本，导致NAND Flash价格走低。
市场空间与技术趋势：1）2015年全球市场约300亿美元；2）SSD（固态硬盘）替代传统机械硬盘（HHD）的趋势不可阻挡，尤其是3D NAND闪存技术将提振SSD（固态硬盘）需求，在PC端、企业服务器领域渗透率提高将导致SSD出货量大增。
NAND Flash已经取代手机基带/AP 和CPU，成为半导体产业创新驱动和产值的最大领域。
竞争格局：1）4分天下：三星市占率连续保持在35%上下；东芝与闪迪（SanDisk）合占30%左右；再就是美光、海力士。以上四家市占率达到令人咋舌的99%。
1）紫光国芯：大股东紫光集团2015年控股西部数据，而西部数据又以约190亿美元收购闪迪（SanDisk）；大额定增中，600亿元拟投入存储芯片工厂，预计可新增12万片/月产能，将贡献营业收入354亿元，年均利润为87.2亿元，满产时间在4年后。
2）武汉新芯（长江存储）：主要产品为3D NAND，拟投入1600亿元，存储厂预计于2018年完工，2019年量产，首批产能为4万片，预计到2020年形成月产能30万片，到2030年每月产能100万片。
竞争格局：1）空间小、格局分散，巨头逐步退出小容量、毛利较低的NOR Flash市场；2）美光（占比25%）、Cypress（收购了飞梭半导体）、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家瓜分份额。
兆易创新：（1）国内稀缺的存储芯片龙头，Nor flash国内第一；（2）2017年8-9月，大股东增持，国家集成电路大基金入股11%；（3）入股晶圆制造龙头中芯国际，进一步夯实战略联盟；（4）2018年3月收购思立微，打造存储-微处理-传感交互一体式解决方案；
（5）兆易创新和合肥长鑫DRAM合作非常顺利！2017年10月，兆易创新宣布，与合肥长鑫进行19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目合作。目标在 2018 年12 月 31 日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于 10%。此次合肥长鑫的重要突破，也利好兆易创新的DRAM战略！
1）北方华创：（1）北方华创是由七星电子和北方微电子战略重组而成，是半导体设备龙头。公司主营业务包括半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件四大业务；（2）中国地区是全球第三大半导体设备市场，但国内半导体设备自给率不足15%，进口替代空间巨大；
（3）公司于2018年1月完成收购美国Akrion公司，形成涵盖应用于集成电路、先进封装、功率器件、微机电系统和半导体照明等泛半导体领域的8-12英寸批式和单片清洗机产品线）公司的真空装备、锂电装备以及精密元器件业务齐头并进，稳定发展。
2）长川科技：（1）长川科技作为国产测试设备龙头企业，一直致力于测试机和分选机的研发。2013年以来，公司承担了国家科技重大02专项中两项课题的研发工作，并获国家产业基金入股7.5%，充分展现其核心技术优势。
（2）公司集成电路测试机和分选机产品已获得长电科技、华天科技、通富微电、士兰微、华润微电子、日月光等多个一流集成电路企业的使用和认可。
（3）从产品质量上看，公司测试机、分选机产品的主要性能指标已达国内领先、接近国外先进技术水平；从盈利能力上看，长川科技的毛利率和净利率均高于国外设备巨头。
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